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2024年03月30日(土)
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NIMSら、「化学的ハンダづけ」の開発に成功

NIMSら、「化学的ハンダづけ」の開発に成功

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導電性高分子を一本ずつ配線する方法を開発
独立行政法人物質・材料研究機構(NIMS)の研究チームは、独立行政法人科学技術振興機構(JST)、バーゼル大学(スイス)、ユーリヒ総合研究機構(ドイツ)およびカリフォルニア大学ロサンゼルス校(アメリカ)と共同で個々の有機分子に電気を流す分子である導電性高分子を一本ずつ配線できる画期的な方法を開発した。この方法は、「化学的ハンダづけ」と名付けられた。

導電性高分子
次世代デバイスの有力候補「単分子デバイス」
近年、電子デバイスの微小化・高集積化への要求が高まっている。この要求を満たす次世代デバイスの有力候補の一つとして、一つ一つの有機分子に整流やスイッチング等の電子デバイス機能を持たせる、「単分子デバイス」のアイデアがある。

単分子デバイスは、これまで研究なされてきたものの、未だに実現には至っていなかった。その大きな理由の一つとして、金属線を分子サイズまで細くすることは極めて困難なため、デバイス機能を持った有機単分子に電線を配線するための適切な方法がなかったことにある。

今回、NIMSの研究チームは、独自開発した手法を用いることで単分子の化学反応を制御できる新しい現象を見いだし、個々の有機分子に導電性高分子を一本ずつ配線する技術を開発した。この成果は、単分子デバイス回路の実現に向けた大きな一歩となった。

外部リンク

NIMSの発表資料「単分子配線法の開発に成功」
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