2024年11月24日(日)
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GaN系の「窒化物半導体応用研究会」が開催
2010年9月13日 13:00
GaN系半導体の開発状況、応用技術に関する講演が
科学技術交流財団が、第９回の「窒化物半導体応用研究会」を、10月29日に名古屋で開催する。今回は、GaN系バルク結晶成長とGaN系デバイス応用について、その開発状況、応用技術に関する講演を行うもの。
窒化物半導体についてもっと知りたい、窒化物半導体を利用した製品を開発したい、窒化物半導体の応用に積極的に関わりたい、といった企業や大学の研究者などに参加を呼びかけている。
なお、参加費は無料（懇親会参加費3,000円）で、定員は200名となっている。
＜開催概要＞
日 時 １０月２９日（金） １３：００～１７：１０
会 場 名古屋大学 ＩＢ電子情報館大講義室
（名古屋市千種区不老町）※会場変更の場合あり
会 費 無料
定 員 ２００名
詳 細 下記リンクより
日 時 １０月２９日（金） １３：００～１７：１０
会 場 名古屋大学 ＩＢ電子情報館大講義室
（名古屋市千種区不老町）※会場変更の場合あり
会 費 無料
定 員 ２００名
詳 細 下記リンクより
開催案内書
http://www.astf.or.jp/cluster/event/workshop/20101029/101029annai.pdf
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