STマイクロがEVや太陽光・風力発電など広範な用途向けSiCパワーMOSFETを発表

STマイクロエレクトロニクスは2月10日、SiCパワーMOSFETの新製品SCT20N120を発表した。

SiCパワーMOSFETは、卓越した電力効率と信頼性を特徴とし、今回発表された新製品は、電気・ハイブリッド自動車用インバータ、太陽光・風力発電システム、高効率駆動機器、電源、スマートグリッド機器など、消費電力が重視される幅広いアプリケーションに対応する。

SiCパワーMOSFETは低い電力損失に加え、同等の定格を持つシリコンIGBTの最大3倍のスイッチング周波数を実現し、外付け部品の小型化、省スペース化、軽量化ならびに部材コストの低減することができる。

同製品は1200V耐圧パワーMOSFETの新製品で、最高200℃の接合部動作温度範囲で290mΩ以下のオン抵抗を実現した。

ターンオフ損およびゲート電荷が安定しているため、全温度範囲において一貫して高いスイッチング性能が維持される。これが、導通損失とスイッチング損失の低減および超低リーク電流にとながり、放熱設計が簡略化されると共に、高い信頼性を確保することが可能となる。

同社は現在同製品の量産体制に入っているということだ。

（画像はプレスリリースより）




STマイクロ　ニュースリリース
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